受卡塔尔拉斯拉凡工业城遭袭影响，全球约三分之一的氦气供应中断，国内高纯管束氦气价格持续上行。截至2026年5月11日，国内高纯管束氦气价格年内涨幅已超过308%，其中半导体级氦气3月单月涨幅接近88%，工业级氦气涨幅约100%至150%。高纯氦气在芯片制造成本中占比不到1%，但在干法刻蚀环节承担晶圆温控职能，目前没有替代方案。

据美国地质调查局统计，2025年全球氦气产量约1.9亿立方米，其中美国占42.6%，约8100万立方米；卡塔尔占33.2%，约6300万立方米；俄罗斯占9.5%。美国和卡塔尔合计贡献全球产量的75%以上。

事件的起点是2026年2月28日，伊朗无人机袭击了卡塔尔拉斯拉凡工业城。该工业城是全球规模居首的液化天然气基地，也是卡塔尔氦气的单一产地。3月18日至19日，第二轮袭击造成设施“广泛”损毁，卡塔尔能源公司宣布修复需要数年时间，年氦气出口将缩减14%。自2月28日美以对伊朗发动军事打击以来，霍尔木兹海峡被封堵，卡塔尔氦气运往世界各地仅有的一条海上通道被切断。产地停产、出口缩减与运输瘫痪同时发生。

半导体行业消耗全球约21%至24%的氦气，年用量在3900万至4600万立方米之间。卡塔尔年产氦气6300万立方米，超过全球所有半导体工厂一年的消耗总量。即便把全球半导体工厂的氦气需求全部加总，卡塔尔一国的产能仍有富余。当这一富余的来源被切断，缺口已不是涨价所能填补。

氦气在制造环节的作用难以替代。干法刻蚀设备依赖氦气对晶圆背面进行温度控制：等离子体轰击晶圆产生大量热量时，氦气被通入晶圆与底座之间仅几微米的缝隙，将温度均匀性控制在±0.5°C以内，没有氦气则温控失效，刻蚀无法进行。EUV光刻机的冷却系统同样依赖氦气，其热导率是氮气的6倍，单台EUV光刻机年耗氦超过1万升。

作为一种不可人工合成、不可再生的资源，氦气的库存消耗不可逆。液氦需在-269°C下储存，每天约有1%的自然蒸发损失，每多存放一天就少一批货。

据路透社报道，三星电子和SK海力士目前持有约4至6个月的氦气库存，韩国政府确认上半年不会出现断供。但这只是两家存储企业的库存水平，全行业的真实状况更为严峻。

从时间维度看，0至3个月可通过库存和调配维持；3至6个月开始出现配额削减；6至12个月部分先进工厂将受限；若持续一年以上，行业将被迫进行生产优先级排序，尖端逻辑芯片（如2nm、3nm）优先停产，成熟制程和汽车芯片随后被牺牲。

卡塔尔能源官方确认，拉斯拉凡受损设施的重建周期为3至5年，2026至2028年不具备完整出口氦气的产能，仅临时启用小型简易撬装设备，恢复约12%的原产能。俄罗斯于2026年4月对氦气实施临时出口管制，持续至2027年底。在美、卡、俄三个主要供应国中，两个主要供应源同时中断。

华泰证券测算，2026至2027年全球氦气供需缺口预计为-0.5亿至-0.1亿立方米，缺口率将从当前的15%至21%逐步收窄，但供需偏紧的局面将贯穿2026至2027年。

氦气回收循环系统是目前行业较为现实的缓解手段。通过深冷提氦与低温催化剂吸附等多道工序，氦气可被提纯至5N甚至8N以上回供产线，回收循环率可达60%至70%。台积电、三星已部分实施氦气回收系统，但远未覆盖全部产线。该方案存在两方面限制：一是前期资本投入巨大，并非所有晶圆厂都能负担；二是回收系统只能减少净消耗量的15%至30%，无法填补卡塔尔消失的33.2%全球产量。

需求端仍在扩张。WSTS预测2026年全球半导体营收同比增长26.3%至9750亿美元。2nm GAA晶体管、400层以上3D NAND等先进制程对温控精度要求更高，单位氦气消耗量持续增加，ASML计划2027年将EUV产能提升30%。供给收缩与需求扩张正在双向挤压。

从成因看，本轮危机由地缘冲突、资源不可再生、零替代三重约束叠加而成。全球三分之一供给消失、修复需要3至5年、库存仅能支撑6个月，三个时间维度的错配决定了此次危机属于结构性重塑，而非短期波动。

后续需关注三个变量：霍尔木兹海峡何时恢复通航、卡塔尔临时撬装设备的产能爬坡速度、主要晶圆厂氦气回收覆盖率的提升节奏。任何一项出现超预期进展，都可能引发价格回调；若三者均不及预期，2026年下半年至2027年上半年的“选择性停产”将不可避免。氦气在芯片制造成本中占比不到1%，但没有它，另外99%的成本毫无意义。市场关注的焦点并非价格本身，而是产能能否维持。